EN
M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 产品特性: 采用Trench+Fieldstop技术;软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低;低饱和压降,导通损耗小;关断拖尾电流小,软关断特性;正温度系数,适合并联;高的短路电流能力(6us以上);开关速度快,开关损耗小;TVj max 达175℃;
Type VCES
(V)
IC nom
(A)
VCE (sat)
(V)
Ptot
(W)
Eoff
(mJ)
RthJC
(℃/W)
Packages PDF资料
MM15GT120B 1200 15 1.85 230 0.9 0.65 TO-247 预览     下载
MM40G3T120B 1200 40 1.90 405 2.8 0.37 TO-247 预览     下载
MM25G3T120B 1200 25 1.8 306 1.8 0.49 TO-247 预览     下载
应用领域
变频器
伺服驱动器
不间断电源
光伏逆变器
电动汽车